[发明专利]半导体器件、含包围圆柱形沟道的栅的晶体管及制造方法有效
| 申请号： | 200910057965.3 | 申请日： | 2009-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102034863A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 肖德元;陈国庆;李若加;颜进甫;邢溯;黄晓橹;杨勇胜 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于具有包围栅结构的集成电路的系统和方法。该集成电路系统包括具有全包围栅圆柱形(GAAC)纳米线沟道而电介质层介于其间的晶体管。在半导体线图案的中部中的圆柱形纳米线沟道连接在同一线图案的两个相反端部定位的源和漏区。提供一种用于制造具有GGAC晶体管的集成电路系统的方法，该方法包括：在SOI晶片的隐埋氧化物层上形成SOI层线图案；在线图案的中部下方形成空腔并且将中部成形为圆柱形成形的沟道；形成包围圆柱形沟道区的栅电极而栅电介质层介于其间，栅电极朝着线图案竖直地定位于隐埋氧化物层上；在栅电极和沟道的任一侧上、在线图案的两个相反端部形成源区/漏区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 包围 圆柱形 沟道 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；覆盖所述衬底的第一绝缘层；沿着第一方向覆盖在所述第一绝缘层上方的半导体线，所述半导体线包括第一端部、中部和第二端部；在所述第一端部内的源区；在所述第二端部内的漏区；在所述中部内的沟道区，所述沟道区连接所述源区和所述漏区，所述沟道区的特征在于具有半径和长度为圆柱形的形状；包围所述圆柱形沟道区的第二绝缘层；以及栅电极，覆盖所述沟道区周围的第二绝缘层并且沿着第二方向覆盖所述第一绝缘层，所述第二方向与所述第一方向垂直。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910057965.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：无源湿敏传感器
- 下一篇：整合热电组件与芯片的封装体
- 同类专利
- 专利分类
