[发明专利]测试结构及测试半导体衬底的方法有效
| 申请号： | 200910057966.8 | 申请日： | 2009-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102034794A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 阮玮玮;龚斌;施雯 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66;G01R31/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 根据本发明的测试结构的一个实施例包括金属化层的一对互相交叉的梳状部分，所述金属化层存在于形成在多晶硅加热器元件上的间层电介质(ILD)的凹陷中。所述金属化层的第三部分包括插入所述梳状部分之间的蛇形金属线。在各金属化部分的各个节点处的强制电压的施加以及读出电压的检测使得能够识别以下各项：(1)各金属化部分中金属的电迁移；(2)金属从一个金属化部分伸出而接触到另一金属化部分；(3)ILD的依赖于时间的电介质击穿(TDDB)及击穿电压(Vbd)；(4)移动离子对各金属化部分的污染；及(5)ILD的介电常数k值和k值的漂移。可向多晶硅加热器施加偏置电压，以实现测试期间的温度控制。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 结构 半导体 衬底 方法 | ||
【主权项】：
一种测试结构，包括：形成于衬底上的多晶硅垫；形成于所述多晶硅垫上的电介质层；以及形成于所述电介质层中的凹陷中的金属化层，所述金属化层包括第一梳状部分，所述第一梳状部分与第二梳状部分互相交叉且通过所述电介质层与所述第二梳状部分隔离开。
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