[发明专利]一种制备高临界电流密度钇钡铜氧超导薄膜的方法无效

专利信息
申请号: 200910058055.7 申请日: 2009-01-07
公开(公告)号: CN101456726A 公开(公告)日: 2009-06-17
发明(设计)人: 王文涛;赵勇;蒲明华;师晓燕;王伟 申请(专利权)人: 西南交通大学
主分类号: C04B35/45 分类号: C04B35/45;C04B35/622;H01B12/00
代理公司: 成都博通专利事务所 代理人: 陈树明
地址: 610031四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 一种制备高临界电流密度钇钡铜氧超导薄膜的方法,其具体作法是:a.前驱溶液制备:将乙酸钇、乙酸钡、乙酸铜及杂质元素的乙酸盐,按钇∶钡∶铜∶杂质元素的化学计量比1∶2∶3-X∶X,0.0002≤X≤0.008的比例溶解于丙酸中,得前驱溶液,所述的杂质元素为钴(Co)、铁(Fe)、锌(Zn)、镍(Ni)、锂(Li)中的一种;b.在a步的前驱溶液中,加入高分子材料聚乙烯醇缩丁醛(PVB),得到涂层胶体;c.涂敷及干燥在基片上形成薄膜;d.将C步的制得的带薄膜基片进行热分解处理后再进行成相热处理,即得。该方法制得的YBCO超导薄膜具有高度双轴织构,表面平整、致密,在磁场下的临界电流密度高。且其成本低廉、工艺简单,适合于大规模工业化生产。
搜索关键词: 一种 制备 临界 电流密度 钇钡铜氧 超导 薄膜 方法
【主权项】:
1、一种制备高临界电流密度钇钡铜氧超导薄膜的方法,其具体作法是:a、前驱溶液制备:将乙酸钇、乙酸钡、乙酸铜及杂质元素的乙酸盐,按钇:钡:铜:杂质元素的化学计量比1∶2∶3-X:X,0.0002≤X≤0.008的比例溶解于丙酸中,得前驱溶液,所述的杂质元素为钴(Co)、铁(Fe)、锌(Zn)、镍(Ni)、锂(Li)中的一种;b、涂层胶体制备:在a步的前驱溶液中,加入高分子材料聚乙烯醇缩丁醛(PVB),加入的高分子材料与前驱溶液的质量比为2-8:100,充分搅拌,得到涂层胶体;c、涂敷及干燥:将b步制备的涂层胶体涂敷于基片上,在基片上形成薄膜,在100-200℃温度范围内进行干燥,时间5-20分钟;d、热分解处理与成相热处理:将C步的制得的带薄膜基片进行热分解处理后再进行成相热处理,即得。
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