[发明专利]一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体薄膜的退火炉结构无效
| 申请号： | 200910058315.0 | 申请日： | 2009-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN101806539A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 雷智;冯良桓;张静全;蔡亚平;武莉莉;李卫;黎兵;郑家贵;蔡伟 | 申请（专利权）人： | 四川尚德太阳能电力有限公司 |
| 主分类号： | F27B9/06 | 分类号： | F27B9/06;F27B9/24;F27B9/36;H01L21/324;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610041 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明是设计一种能够满足柔性衬底上沉积II-VI族化合物薄膜的退火炉结构。选用移动式近空间退火方式为主，辅以热气流进行对流加热。在一个相对封闭的容器内，安装一个可以快速升降的平面加热板。容器壁为两层结构，中间通水进行冷却，使得容器壁在整个退火过程中保持为冷壁。容器在两端开一狭缝口，便于样品进出。样品放置于一个传输带上，由传输带将样品携带如容器中。快速升降的加热板背向样品的一面由保温材料包裹，避免热量辐射到容器壁，从而升高整个容器内的温度。当其II-VI族化合物薄膜温度上升到其退火温度后，立即提升加热板，从而避免对II-VI族化合物薄膜的柔性衬底加热。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化合物 半导体 薄膜 退火炉 结构 | ||
【主权项】：
一种II-VI族化合物半导体薄膜的退火炉结构，具有可以快速移动的加热板；在加热板上开有一定分布的通气为孔；工作气体由微孔中喷出。
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