[发明专利]多晶硅还原炉石墨电极的洁净处理水淬法有效
| 申请号： | 200910058478.9 | 申请日： | 2009-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN101486458A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 杨永富 | 申请（专利权）人： | 四川永祥多晶硅有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04;C01B33/03;C30B28/14 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 方 强 |
| 地址： | 614800四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了多晶硅还原炉石墨电极的洁净处理水淬法，其特征在于：对石墨电极分别进行三次水淬，即先对石墨电极进行三次加热然后分别进行三次水浸冷却，水浸冷却时通过纯水进入被加热的石墨电极内部，石墨电极将纯水汽化为蒸汽，蒸汽将石墨中的杂质夹带出去；本发明洁净处理还原炉石墨电极去除杂质充分，生产多晶硅产品质量稳定；耗能低、耗水量少；工艺简单、易于操作；不污染大气和水源，属环境友好型工艺；本发明不仅用于多晶硅还原炉石墨电极的洁净处理，同时还适用于还原炉进气石墨喷嘴，半导体外延炉石墨托以及其它工艺石墨件的洁净处理。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 还原 石墨电极 洁净 处理 水淬法 | ||
【主权项】：
1、多晶硅还原炉石墨电极的洁净处理水淬法，其特征在于：对石墨电极分别进行三次水淬，即先对石墨电极进行三次加热然后分别进行三次水浸冷却，水浸冷却时通过纯水进入被加热的石墨电极内部，石墨电极将纯水汽化为蒸汽，蒸汽将石墨中的杂质夹带出去。
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