[发明专利]CsI(T1)晶体薄膜直接集成CCD的X射线阵列探测器无效
申请号: | 200910060113.X | 申请日: | 2009-07-27 |
公开(公告)号: | CN101968546A | 公开(公告)日: | 2011-02-09 |
发明(设计)人: | 刘爽;张佳宁;钟智勇 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G01T1/202 | 分类号: | G01T1/202 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610054 *** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种CsI(Tl)晶体薄膜直接耦合CCD的X射线阵列探测器,它利用CsI(Tl)晶体的荧光效应,将X射线转换成荧光后,直接耦合至CCD面元上进行感光,生成数字图象信号;CsI(Tl)晶体与CCD面元之间无需光纤或光锥导光,既减小了系统的耦合损耗,又使探测器厚度变薄(100μm量级);采用Al层把CsI(Tl)晶体分隔为与CCD面元大小尺寸一致的晶体单元,减小了荧光串扰噪声,提高了空间分辨率。该探测器具有结构简单、集成度高、探测效率高等优点。本发明在医学成像、工业检测等领域具有极大的应用潜力。 | ||
搜索关键词: | csi t1 晶体 薄膜 直接 集成 ccd 射线 阵列 探测器 | ||
【主权项】:
基于薄层CsI(Tl)晶体直接耦合CCD的X射线阵列探测器,其特征是它包括CCD面元(1)、荧光增透膜(2)、CsI(Tl)晶体单元(3)、晶柱空气间隙(4)、顶层Al保护层(5)、侧面Al隔离层(6)、电荷转移通道(7);X射线从顶层Al保护层(5)入射,进入CsI(Tl)晶体单元(3),转换成为荧光;荧光在顶层Al保护层(5)、晶柱空气间隙(4)、侧面Al隔离层(6)的反射作用下,传输到荧光增透膜(2)上;荧光透过荧光增透膜(2),被CCD面元(1)感光,产生光生电荷包;光生电荷包通过电荷转移通道(7)转移输出。
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