[发明专利]CsI(T1)晶体薄膜直接集成CCD的X射线阵列探测器无效

专利信息
申请号: 200910060113.X 申请日: 2009-07-27
公开(公告)号: CN101968546A 公开(公告)日: 2011-02-09
发明(设计)人: 刘爽;张佳宁;钟智勇 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G01T1/202 分类号: G01T1/202
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610054 *** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种CsI(Tl)晶体薄膜直接耦合CCD的X射线阵列探测器,它利用CsI(Tl)晶体的荧光效应,将X射线转换成荧光后,直接耦合至CCD面元上进行感光,生成数字图象信号;CsI(Tl)晶体与CCD面元之间无需光纤或光锥导光,既减小了系统的耦合损耗,又使探测器厚度变薄(100μm量级);采用Al层把CsI(Tl)晶体分隔为与CCD面元大小尺寸一致的晶体单元,减小了荧光串扰噪声,提高了空间分辨率。该探测器具有结构简单、集成度高、探测效率高等优点。本发明在医学成像、工业检测等领域具有极大的应用潜力。
搜索关键词: csi t1 晶体 薄膜 直接 集成 ccd 射线 阵列 探测器
【主权项】:
基于薄层CsI(Tl)晶体直接耦合CCD的X射线阵列探测器,其特征是它包括CCD面元(1)、荧光增透膜(2)、CsI(Tl)晶体单元(3)、晶柱空气间隙(4)、顶层Al保护层(5)、侧面Al隔离层(6)、电荷转移通道(7);X射线从顶层Al保护层(5)入射,进入CsI(Tl)晶体单元(3),转换成为荧光;荧光在顶层Al保护层(5)、晶柱空气间隙(4)、侧面Al隔离层(6)的反射作用下,传输到荧光增透膜(2)上;荧光透过荧光增透膜(2),被CCD面元(1)感光,产生光生电荷包;光生电荷包通过电荷转移通道(7)转移输出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910060113.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top