[发明专利]高电源抑制比低失调的基准源电路有效
| 申请号： | 200910060378.X | 申请日： | 2009-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN101799699A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 武国胜;吴召雷;黄俊维 | 申请（专利权）人： | 四川和芯微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/30 | 分类号： | G05F3/30 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 徐丰 |
| 地址： | 610041 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了高电源抑制比低失调的带隙基准源电路，其特征在于：设置有一个隔离单元，用于消除基准源电压变化和反馈电路失调电压对基准源电路的影响，所述隔离单元位于电流放大器的输出端、输入端与正温度系数电流源的端口之间；所述反馈电路的输入端位于隔离单元和电流放大器之间，用于屏蔽反馈电路失调对正温度系数电流源的影响；本发明设置的隔离单元用于提高电源抑制和屏蔽反馈电路对参考源产生的失调，电路正常工作时，可以输出稳定参考源；电路的电源抑制比不仅达到130dB以上，而且可以有效的抑制反馈电路对电路产生的失调；电路结构简单，高电源抑制比和低失调。 | ||
| 搜索关键词： | 电源 抑制 失调 基准 电路 | ||
【主权项】：
高电源抑制比低失调的带隙基准源电路，其特征在于：设置有一个隔离单元，用于消除基准源电压变化和反馈电路失调电压对基准源电路的影响，所述隔离单元位于电流放大器的输出端、输入端与正温度系数电流源的端口之间；所述反馈电路的输入端位于隔离单元和电流放大器之间，用于屏蔽反馈电路失调对正温度系数电流源的影响。
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