[发明专利]一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法

摘要

本发明公开了一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法，该发光二极管外延片结构从下向上的顺序依次为衬底，低温缓冲层，未掺杂的氮化镓高温缓冲层，氮化铝镓/氮化镓超晶格结构，未掺杂的氮化镓高温缓冲层、N型接触层、N型氮化镓导电层、发光层多量子阱结构MQW、P型氮化铝镓电子阻挡层、P型氮化镓导电层、P型接触层，本发明在未掺杂的氮化镓高温缓冲层中插入了一氮化铝镓/氮化镓超晶格周期结构。氮化铝镓/氮化镓超晶格周期结构的插入能有效改善材料的晶体质量，从而提高氮化镓基发光二极管抗静电能力，提高器件的可靠性和稳定性。

主权项

1、一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法，该发光二极管外延片结构从下向上的顺序依次为衬底，低温缓冲层，未掺杂的氮化镓高温缓冲层u-GaN，氮化铝镓/氮化镓AlxGa1-xN/GaN，0＜x＜1超晶格结构，未掺杂的氮化镓高温缓冲层u-GaN，N型接触层，N型氮化镓导电层，发光层多量子阱结构MQW，P型氮化铝镓电子阻挡层，P型氮化镓导电层，P型接触层；其特征在于：在未掺杂的氮化镓高温缓冲层中插入了一氮化铝镓/氮化镓AlxGa1-xN/GaN，0＜x＜1，超晶格周期结构。