[发明专利]一种低热阻热界面制备方法有效
| 申请号： | 200910062842.9 | 申请日： | 2009-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN101609802A | 公开（公告）日： | 2009-12-23 |
| 发明（设计）人： | 陈明祥;刘胜 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/373;C09K5/14 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 | 代理人： | 李 智 |
| 地址： | 430074湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种低热阻热界面制备方法，首先在衬底上制备定向生长碳纳米管(VACNT)，然后对VACNT进行改性和磁化，接着通过磁对准提高VACNT与目标衬底间的接触几率，最后利用键合技术实现VACNT与目标衬底间的键合。由于磁力和压力的共同作用，VACNT与目标衬底间形成了保形接触，从而有效降低了界面接触热阻。本发明解决了VACNT直接作为热界面材料的难题，为纳米封装与互连、低热阻封装技术研发开辟了新思路，对促进光电集成技术发展和功率器件的研发具有推动作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低热 界面 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种低热阻热界面制备方法，首先在目标衬底上制备出定向生长碳纳米管，然后对碳纳米管磁化，接着通过磁对准提高碳纳米管与目标衬底间的接触几率，最后完成碳纳米管与目标衬底间的键合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
