[发明专利]二氧化钛纳米管阵列掺杂方法无效
| 申请号： | 200910064805.1 | 申请日： | 2009-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN101562214A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 刘国光;刘海津 | 申请（专利权）人： | 河南师范大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C30B31/00;C30B29/16 |
| 代理公司： | 新乡市平原专利有限责任公司 | 代理人： | 毋致善 |
| 地址： | 453007河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二氧化钛纳米管阵列掺杂方法，目的是提供一种成本低、掺杂效率高的二氧化钛纳米管阵列掺杂方法。将待掺杂的二氧化钛纳米管阵列和铂电极置于电解槽内，直流电源的正极和负极分别与上述铂电极和二氧化钛纳米管阵列连接，直流电源的电压不大于10V，上述电解液为含NH4+的盐溶液或者含金属离子和NH4+的混合盐溶液。本发明与现有技术比较具有实施费用低、操作方便和掺杂效率高等显著优点。本发明适用于纳米管掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 纳米 阵列 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
1、一种二氧化钛纳米管阵列掺杂方法，其特征有下列工序：(1)将待掺杂的二氧化钛纳米管阵列和铂电极置于电解槽内，直流电源的正极和负极分别与上述铂电极和二氧化钛纳米管阵列连接，直流电源的电压不大于10V，上述电解液为含NH4+的盐溶液或者含金属离子和NH4+的混合盐溶液。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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