[发明专利]三氯氢硅合成产物加压冷凝的生产工艺无效

专利信息
申请号: 200910065895.6 申请日: 2009-08-24
公开(公告)号: CN101628720A 公开(公告)日: 2010-01-20
发明(设计)人: 严大洲;肖荣晖;毋克力;杜俊平 申请(专利权)人: 洛阳中硅高科技有限公司
主分类号: C01B33/107 分类号: C01B33/107
代理公司: 洛阳市凯旋专利事务所 代理人: 符继超
地址: 471031河南省洛*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 一种三氯氢硅合成产物加压冷凝的生产工艺是在压缩前水冷却器、压缩前深冷却器、氢压机、压缩后深冷却器、合成产品储罐和尾气干法回收系统实施,生产工艺包含压缩前水冷、压缩前深冷、氢压机加压、压缩后深冷和尾气干法回收五道工序。本发明有效提高了三氯氢硅合成产物的冷凝效率,一次加压冷凝后,氯硅烷回收率在90%以上,再经过尾气干法回收系统处理后再次加压冷凝,氯硅烷冷凝回收率达到99%以上。该生产工艺可减少冷媒消耗量,延长氢压机使用周期。
搜索关键词: 三氯氢硅 合成 产物 加压 冷凝 生产工艺
【主权项】:
1、一种三氯氢硅合成产物加压冷凝的生产工艺,其特征在于:该生产工艺是在压缩前水冷却器、压缩前深冷却器、氢压机、压缩后深冷却器、合成产品储罐和尾气干法回收系统实施,生产工艺包含压缩前水冷、压缩前深冷、氢压机加压、压缩后深冷和尾气干法回收五道工序,五道工序分述如下:I、压缩前水冷三氯氢硅合成产物从压缩前水冷却器下部进入后从其上部出来进入压缩前深冷却器,压缩前水冷却器采用普通循环水冷却;II、压缩前深冷从压缩前水冷却器出来的三氯氢硅合成产物进入压缩后深冷却器,压缩后深冷却器采用-55~-30℃冷媒作冷却剂,控制压缩后深冷却器气体出口温度在-40~0℃,被冷凝下来的三氯氢硅合成产物中如SiHCl3、SiCl4输送到合成产品储罐,未被冷凝的三氯氢硅合成产物如H2、HCl或部分SiHCl3、SiH2Cl2、SiCl4进入氢压机;III、氢压机加压从深冷却器出来的未被冷凝的三氯氢硅合成产物进入氢压机压缩,此时氢压机的进口压力控制在0.01~0.1Mpa,经过氢压机加压后的出口压力控制在0.3~0.8Mpa;IV、压缩后深冷经过氢压机加压后的三氯氢硅合成产物进入压缩后深冷却器并采用-55~-30℃冷媒作冷却剂,三氯氢硅合成产物中如SiHCl3、SiCl4被冷凝下来进入合成产品储罐;三氯氢硅合成产物中大量的H2、HCl或少量的SiHCl3、SiH2Cl2、SiCl4未被冷凝的混合气体进入尾气干法回收系统;V、尾气干法回收经过尾气干法回收系统处理后将含有SiHCl3、SiH2Cl2、SiCl4的混合气体再次进入压缩前深冷却器进行循环处理,同时对尾气干法回收系统处理后含有的H2、HCl实施回收。
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