[发明专利]基于纳米掩膜制备技术的电化学制备纳米阵列结构材料方法无效
| 申请号： | 200910067044.5 | 申请日： | 2009-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN101560663A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 翁占坤;邵金山;陈光;赵新乐;宋正勋;王作斌 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | C23F1/02 | 分类号： | C23F1/02;H01L21/308;H01L21/32;H01L21/467;H01L21/475 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种基于纳米掩膜技术的电化学纳米阵列结构材料制备方法，用于纳米光电子器件制造领域，尤其是光子晶体材料及器件。本发明包括如下步骤：a)将单分散的有机/无机纳米球均匀分布在基底表面，形成纳米阵列或图形排列；b)以上述纳米阵列或图形作为掩膜，采用电化学刻蚀工艺，进行纳米阵列或图形的刻蚀，在基底表面形成纳米阵列或图形结构；c)去除表面的有机/无机纳米材料，获得纳米阵列或图形结构。本发明适于金属、半导体材料纳米阵列结构的制备，最小尺寸可达到10纳米以下，所采用的电化学刻蚀工艺具有高效、廉价、简便、可在大气环境下进行等优点，便于推广和应用。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 制备 技术 电化学 阵列 结构 材料 方法 | ||
【主权项】：
1、一种基于纳米掩膜制备技术的电化学制备纳米阵列结构材料方法，其特征在于，包括如下步骤：a)将单分散的无机、有机纳米粒子或无机纳米粒子与聚合物共混的混合物均匀排布在衬底材料表面，形成纳米阵列图形；b)以a)中纳米阵列图形为掩膜，采用电化学刻蚀进行纳米图形和阵列的刻蚀，在衬底表面形成纳米阵列图案及深度的有序二维阵列结构；c)除去表面残留纳米材料，获得纳米阵列图案和有序二维阵列结构。
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