[发明专利]一种纳米绝缘体上硅结构材料及其制作方法无效
| 申请号： | 200910067164.5 | 申请日： | 2009-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN101587902A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 李红东;吕宪义;卢冬;成绍恒;邹广田 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L23/552;H01L21/84;H01L21/762;H01L21/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 王恩远 |
| 地址： | 130012吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的一种纳米绝缘体上硅结构材料及其制作方法属集成电路芯片材料的技术领域。通过改进传统SOI结构中绝缘材料，制得以纳米抗辐射材料，如纳米金刚石，掺氮纳米金刚石，纳米氮化硼等作为绝缘层(8)的新型SOI结构。采用注氢键合技术和化学气相沉积方法，制成连接器件表层硅(3)-纳米绝缘层(8)-金刚石膜或/和单晶体Si衬底(4)的SOI结构。这种结构不仅具有传统SOI和SOD结构的优势，而且工艺更为简单，增强抗总剂量辐射，进一步提高SOI器件的总体抗辐射能力。适用于航空、航天、军工等领域的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 绝缘体 结构 材料 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种纳米绝缘体上硅结构材料，按顺序主要由硅表层(3)、绝缘层(8)和衬底(4)构成；其特征在于，所述的绝缘层(8)是纳米材料的绝缘层，纳米材料为纳米金刚石膜、掺氮纳米金刚石膜或纳米氮化硼膜，绝缘层(8)厚度为0.1～10μm；所述的衬底(4)为微米多晶金刚石衬底(7)或单晶或多晶硅衬底(6)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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