[发明专利]负载在铝基体上的碳纳米管薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 200910068471.5 | 申请日： | 2009-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN101532132A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 杨全红;郭敏;张少波 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C23C28/00 | 分类号： | C23C28/00;C23C20/00;C25D11/04;C25D11/12 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 王 丽 |
| 地址： | 300072天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种负载在铝基体上的碳纳米管薄膜及其制备方法。本发明负载在铝基体上的碳纳米管薄膜，其中，所述的基体为经过阳极氧化，其氧化膜孔径为15-200nm，厚度为5-150μm的铝基体，在铝基体上负载的薄膜是由直径为0.5-20nm的碳纳米管和单链DNA构成，此单链DNA为5-60个鸟嘌呤(G)或者5-60个胸腺嘧啶(T)或者两种碱基的组合，碳纳米管薄膜的厚度为2-500nm，方块电阻值为0.5-50kΩ/sq。其制备方法过程为，将经过阳极氧化的铝基体浸渍于单壁碳纳米管的DNA溶液中0.5-96h，在基体表面自组装形成碳纳米管导电膜。本发明优点：制备过程简单，得到的碳纳米管导电膜均匀、稳定，导电性好，并有一定的透光性。 | ||
| 搜索关键词： | 负载 基体 纳米 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种负载在铝基体上的碳纳米管薄膜，其特征在于，所述的基体为经过阳极氧化，其氧化膜孔径为15-200nm，厚度5-150μm的铝基体，在铝基体上负载的薄膜是由直径为0.5-20nm的碳纳米管和单链DNA构成，此单链DNA为5-60个鸟嘌呤(G)或者5-60个胸腺嘧啶(T)或者两种碱基的组合，碳纳米管薄膜的厚度为2-500nm，方块电阻值为0.5-50kΩ/sq。
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