[发明专利]具有较低烧结温度的微波介质陶瓷及其制备方法无效
| 申请号： | 200910068568.6 | 申请日： | 2009-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN101570433A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 李玲霞;李国超;张平;王洪茹;崔晨 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C04B35/462 | 分类号： | C04B35/462;C04B35/622;H01B3/12 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 曹玉平 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有较低烧结温度的微波介质陶瓷，其组分为(Mg1-xSnx)TiO3，其中x＝0.03-0.08，其原料摩尔百分比含量为TiO2 50％、MgO 40-50％、SnO2 0-10％。采用固相合成工艺，制备步骤为：(1)配料；(2)于1100℃煅烧，合成前驱体、球磨、烘干；(3)制坯、于1150-1250℃烧结。本发明通过Sn2+离子部分取代Mg2+离子，改善了MgTiO3基陶瓷的微波介电性能，降低了该体系的烧结温度(1150-1250℃)，实现了在较低温度下的致密烧结，制备工艺简单、制备过程无污染。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 烧结 温度 微波 介质 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有较低烧结温度的微波介质陶瓷，其组分为(Mg1-xSnx)TiO3，其中x＝0.03-0.1，其原料摩尔百分比含量为TiO250％、MgO 45-48.5％、SnO21.5-5％。
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