[发明专利]一种改善高速沉积微晶硅材料中非晶孵化层的方法

摘要

一种改善高速沉积微晶硅材料中非晶孵化层的方法，公开了一种改善高速沉积本征微晶硅薄膜中起始非晶孵化层的方法：将衬底放在真空室内，采用等离子体增强化学气相沉积或者热丝化学气相沉积技术在衬底上沉积高速率本征微晶硅薄膜；采用改变沉积过程中加热温度的办法来改变反应前驱物在衬底表面的迁移能力，进而来改变高速率材料初期的非晶孵化层。本发明有益效果是：通过改变沉积高速率微晶硅材料时的加热温度，而达到对反应前驱物在衬底表面迁移时间的控制，进而达到改善材料非晶硅孵化层厚度的效果。

主权项

1.一种改善高速沉积微晶硅材料中非晶孵化层的方法，包括以下步骤：1)将衬底放在真空室内，真空控制在高于10-5Torr；2)在衬底上沉积高速率本征微晶硅薄膜；采用等离子增强化学气相沉积即PECVD方法，沉积本征高速率微晶硅薄膜，所用反应气为：硅烷、氢气气体，制备的反应沉积参数如下：反应气体压强0.1Torr以上；辉光功率密度：0.01～5瓦/平方厘米；氢气稀释硅烷浓度SC＝([SiH4]/([SiH4]+[H2]))＝2-15％；辉光激励频率：13.56MHz-100MHz；或热丝化学气相沉积方法沉积微晶硅薄膜；3)在上述条件下，通过改变加热温度来实现对反应前驱物在衬底表面迁移时间的控制，来改善高速率沉积微晶硅材料的非晶孵化层，加热温度的控制涉及的范围为100-500℃。