[发明专利]大功率芯片连接的低温烧结方法及纳米银膏厚度控制装置有效
| 申请号： | 200910069441.6 | 申请日： | 2009-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN101593712A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 徐连勇;陆国权;荆洪阳 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 温国林 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开一种大功率芯片连接的低温烧结方法及纳米银膏厚度控制装置，方法：将已通过纳米银膏厚度控制装置设定好纳米银膏厚度的具有纳米银膏的大功率芯片结构放入在烧结炉内并放置设定的时间；给烧结炉快速升温至50℃，保温10分钟；给烧结炉快速升温至125℃，保温20分钟；给烧结炉快速升温至烧结温度，保温30-60分钟，然后炉冷至室温。装置有：加载支座，设置在加载支座内的用于放置具有纳米银膏的大功率芯片结构并测量该大功率芯片中纳米银膏厚度的测量支撑结构，以及贯穿加载支座的上端并伸入到加载支座内由上至下对测量支撑结构施加压力的加载螺钉。本发明可降低混合动力汽车的制造和维护成本，节能降耗且环保降低二氧化碳的排放。 | ||
| 搜索关键词： | 大功率 芯片 连接 低温 烧结 方法 纳米 厚度 控制 装置 | ||
【主权项】：
1.一种大功率芯片连接的低温烧结方法，其特征在于，包括有如下阶段：第一阶段：将已通过纳米银膏厚度控制装置设定好纳米银膏厚度的具有纳米银膏的大功率芯片结构放入在烧结炉内并放置设定的时间；第二阶段：给烧结炉快速升温至50℃，保温10分钟；第三阶段：给烧结炉快速升温至125℃，保温20分钟；第四阶段：给烧结炉快速升温至烧结温度，保温30-60分钟，然后炉冷至室温。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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