[发明专利]一种沸石单层薄膜及其制备方法无效
申请号: | 200910069617.8 | 申请日: | 2009-07-07 |
公开(公告)号: | CN101601973A | 公开(公告)日: | 2009-12-16 |
发明(设计)人: | 李焕荣;王宇;冯昱;王弋戈;甘泉瑛;陈玉焕;张颖 | 申请(专利权)人: | 河北工业大学 |
主分类号: | B01D71/02 | 分类号: | B01D71/02 |
代理公司: | 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 胡安朋;赵凤英 |
地址: | 300130天*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明一种沸石单层薄膜及其制备方法,涉及以无机材料为特征的半透膜,它是一种发光c-轴取向L型沸石单层薄膜,由载体、发光分子连接体和沸石组成,将易于跟沸石晶体和载体形成共价健的发光分子连接体,与L型沸石和载体设计定向合成,实现了c-轴取向,并实现稀土有机配合物客体分子在单层薄膜中的超分子组装,由此制得了一种发光c-轴取向L型沸石的单层薄膜。该产品可以将染料分子填充在L型沸石晶体的管道中制成可以进行光化学转换和贮存太阳能的系统,用于制备光电池、高立体分辨率电子屏幕。 | ||
搜索关键词: | 一种 单层 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种沸石单层薄膜,其特征在于:它是一种发光c-轴取向L型沸石单层薄膜,由载体、发光分子连接体和沸石组成,其中载体为普通石英片或玻璃片;发光分子连接体为(OR)3Si-FG-Si(OR)3或(OR)3Si-FG-RE-FG-Si(OR)3,其中R为含1~4个碳的烷基,FG为芳香类的发光基团,RE为稀土离子Eu3+或Tb3+;沸石为L型沸石或纳米孔道中含有发光稀土有机配合物的L型沸石,该发光稀土有机配合物由稀土离子和有机配体组成,稀土离子为Eu3+或Tb3+,有机配体为2-噻吩甲酰三氟丙酮或2,2’-联吡啶;载体、发光分子连接体和沸石的组成配比为:1cm2载体负载有0.01μg~1.00μg发光分子连接体和0.01mg~0.1mg沸石;所述纳米孔道中含有发光稀土有机配合物的L型沸石的组成由其原料种类和用量所确定,具体是:100mg L型沸石加入10mL的浓度为0.1mol/L的EuCl3或TbCl3溶液,由此形成掺杂Eu3+或Tb3+的L型沸石,取该掺杂Eu3+或Tb3+的L型沸石50mg与有机配体2-噻吩甲酰三氟丙酮或2,2’-联吡啶15mg混合,最终制得纳米孔道中含有发光稀土有机配合物的L型沸石,实际所用原料的量则根据实际需要按上述原料用量的比例增加或减少。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河北工业大学,未经河北工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910069617.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。