[发明专利]高近红外发光强度的Mg/Er-LiNbO3晶体及其制备方法无效
| 申请号： | 200910071890.4 | 申请日： | 2009-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN101555626A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 孙亮;杨春晖;徐超;王猛;孙彧;马天慧;夏士兴;吕维强;郝素伟;葛士彬;邱海龙 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B15/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市哈科专利事务所有限责任公司 | 代理人： | 刘 娅 |
| 地址： | 150001黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高近红外发光强度的Mg/Er-LiNbO3晶体及其制备方法。Mg/Er-LiNbO3晶体以99.99wt％MgO、99.99wt％Er2O3、99.99wt％Nb2O5、99.99wt％LiCO3为基础原料，MgO掺杂量为0～2mol％，Er2O3掺杂量为0.5～1mol％，Li/Nb摩尔比＝1.381。本发明综合运用抗光损伤元素掺杂与化学计量比生长两种手段，同时实现有源光波导器件基质材料-铌酸锂晶体的Er离子低簇位浓度、强抗光损伤能力，获得明显增强的1.5μm波段光发射性能，推动有源LN光波导器件向实用化阶段迈进。 | ||
| 搜索关键词： | 红外 发光强度 mg er linbo sub 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高近红外发光强度的Mg/Er-LiNbO3晶体，其特征在于：Mg/Er-LiNbO3晶体以99.99wt％MgO、99.99wt％Er2O3、99.99wt％Nb2O5、99.99wt％LiCO3为基础原料，MgO掺杂量为0～2mol％，Er2O3掺杂量为0.5～1mol％，Li/Nb摩尔比＝1.381。
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