[发明专利]一种掺铒-铌酸锂晶体及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200910071891.9 申请日: 2009-04-27
公开(公告)号: CN101575734A 公开(公告)日: 2009-11-11
发明(设计)人: 孙亮;杨春晖;徐超;夏士兴;马天慧;王猛;孙彧;邱海龙;葛士彬;郝素伟;吕维强 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C30B29/30 分类号: C30B29/30;C30B15/00
代理公司: 哈尔滨市哈科专利事务所有限责任公司 代理人: 刘 娅
地址: 150001黑龙江*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 发明提供了一种掺铒-铌酸锂晶体及制备方法。它是以99.99wt%MgO、99.99wt%Er2O3、99.99wt%Nb2O5、99.99wt%LiCO3为基础原料,MgO的掺杂量分别为0~8mol%,Er2O3的掺杂量为1~4mol%,Li/Nb=0.946~0.65。本发明综合运用抗光损伤元素掺杂与化学计量比生长两种手段,同时实现有源光波导器件基质材料-铌酸锂晶体的Er离子低簇位浓度、强抗光损伤能力,获得明显增强的1.5μm波段光发射性能,推动有源LN光波导器件向实用化阶段迈进。
搜索关键词: 一种 铌酸锂 晶体 及其 制备 方法
【主权项】:
1、一种掺铒-铌酸锂晶体,其特征在于以99.99wt%MgO、99.99%Er2O3、99.99 wt%Nb2O5、99.99wt%LiCO3为基础原料,MgO的掺杂量分别为0~8mol%,Er2O3的掺杂量为1~4mol%,Li/Nb摩尔比=0.946~0.65。
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