[发明专利]SiOCN陶瓷的制备方法有效
| 申请号： | 200910072021.3 | 申请日： | 2009-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN101550012A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 温广武;白宏伟;黄小萧;韩兆祥;张晓东;钟博 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/622 | 分类号： | C04B35/622;C04B35/515 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人： | 荣 玲 |
| 地址： | 150001黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | SiOCN陶瓷的制备方法，它属于陶瓷制备领域。本发明解决了现有SiOCN材料的制备方法存在的成分不易控、制备工艺复杂及成本高问题。本发明方法：一、含硅氢键的化合物与烯丙胺混合，再加入铂催化剂混合均匀得到混合物；二、制备SiOCN先驱体；三、经过裂解即制备得到SiOCN陶瓷。本发明的制备方法成本低，制备得到的SiOCN陶瓷高温性能好，可在1400℃以上的条件下使用，应用范围广。 | ||
| 搜索关键词： | siocn 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、SiOCN陶瓷的制备方法，其特征在于SiOCN陶瓷的制备方法按照以下步骤进行：一、含硅氢键的化合物与烯丙胺按照Si-H/C＝C的摩尔比为0.5～16的比例混合，再加入铂催化剂混合均匀得到混合物，其中铂催化剂的用量是Pt元素质量为混合物质量的0.0005％～0.020％，含硅氢键的化合物为含氢硅氧烷或含氢聚硅氧烷；二、将步骤一中的混合物在100℃～200℃的条件下保温3～15小时得到SiOCN先驱体；三、SiOCN先驱体在气氛保护条件下在管式炉中以1～20℃/min的加热速度升温到900～1400℃并保温0.5～2h，然后随炉冷却，即制备得到SiOCN陶瓷。
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