[发明专利]镁合金表面电沉积缓蚀剂阴离子插层水滑石膜的方法

摘要

本发明提供的是一种镁合金表面电沉积缓蚀剂阴离子插层水滑石膜的方法。在三电极体系中，以含有缓蚀性阴离子插层水滑石的溶液为电解液，以镁合金为工作电极、铂片为对电极、室温下通入N₂、电解液pH值为4.5～8.5、扫描速率为5～30mV/s、扫描次数为5～15次，在镁合金表面通过电沉积法形成水滑石膜。本发明提出将缓蚀性阴离子插层水滑石，通过电沉积方法在镁合金表面形成薄膜，通过微量Cl^-的刻蚀和缓蚀性离子优异的吸附成膜性，在镁合金表面形成了一种具有吸附腐蚀性离子、释放缓蚀剂功能的保护膜，此膜层具有防腐性，与镁合金基体有良好的结合性，同时可以与有机涂层较好地粘合。

主权项

1、一种镁合金表面电沉积缓蚀剂阴离子插层水滑石膜的方法，其特征是：在三电极体系中，以含有缓蚀性阴离子插层水滑石的溶液为电解液，以镁合金为工作电极、铂片为对电极、室温下通入N2、电解液pH值为4.5～8.5、扫描速率为5～30mV/s、扫描次数为5～15次，在镁合金表面通过电沉积法形成水滑石膜；所述的含有缓蚀性阴离子插层水滑石的电解液的制备方法为：称取1.0～5.0g纳米尺度的缓蚀剂阴离子插层水滑石加入到100mL的去离子水中，超声分散30min，制成水滑石悬浮液，在水滑石悬浮液中，再加入微量的MCl2或MCl3，Cl-的摩尔浓度为0.002～0.01mol/L、M为对应水滑石主体层板的+2价或+3价金属离子，加入缓蚀剂阴离子的钠盐，缓蚀剂阴离子的摩尔浓度为0.005～0.01mol/L。