[发明专利]一种高质量塑料瓶内壁阻隔薄膜的制备装置及其制备方法无效
申请号: | 200910072573.4 | 申请日: | 2009-07-23 |
公开(公告)号: | CN101613857A | 公开(公告)日: | 2009-12-30 |
发明(设计)人: | 田修波;李景;杨士勤 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | C23C16/517 | 分类号: | C23C16/517;C23C16/26;C08J7/06 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人: | 金永焕 |
地址: | 150001黑龙江*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种高质量塑料瓶内壁阻隔薄膜的制备装置及其制备方法,它涉及一种塑料瓶内壁阻隔薄膜的制备装置及其制备方法。本发明方法解决了现有技术制备的阻隔薄膜同塑料瓶内壁表面结合不牢固及阻隔性差的问题。装置由带有金属塞的绝缘接头、抽真空部件、绝缘体、上部真空罩、下部真空罩、导电进气管和偏压/高频复合等离子体电源组成。方法如下:将待处理的塑料瓶放置在真空室中;将真空室抽至真空,向塑料瓶中通入反应气体;开通高频等离子体源和直流电源,输入高频功率和直流偏压,在塑料瓶体内部产生高密度等离子体,在塑料瓶内壁制得高质量阻隔薄膜。本明方法制得的阻隔薄膜同基体结合牢固,并良好的阻隔性能。本发明方法简单,所需装置造价低。 | ||
搜索关键词: | 一种 质量 塑料瓶 内壁 阻隔 薄膜 制备 装置 及其 方法 | ||
【主权项】:
1、高质量塑料瓶内壁阻隔薄膜的制备装置,它由带有金属塞的绝缘接头(1)、抽真空部件(2)、绝缘体(3)、上部真空罩(5)、下部真空罩(6)、导电进气管(7)和偏压/高频复合等离子体电源(8)组成;其特征在于带有金属塞的绝缘接头(1)安装在抽真空部件(2)上端面并采用螺纹连接同时用O型圈密封,抽真空部件(2)与上部真空罩(5)通过绝缘体(3)螺纹连接同时用O型圈密封,下部真空罩(6)靠气动方式压在上部真空罩(5)上并用O型圈密封,抽真空部件(2)、绝缘体(3)、上部真空罩(5)和下部真空罩(6)之间形成真空室(9),导电进气管(7)由带有金属塞的绝缘接头(1)伸入真空室(9)内且底端位于上部真空罩(5)的下部,偏压/高频复合等离子体电源(8)的功率输出端接上部真空罩(5)和下部真空罩(6),接地端接导电进气管(7)和抽真空部件(2)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学,未经哈尔滨工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910072573.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的