[发明专利]带温度传感器的多晶硅纳米膜压力传感器及其制作方法无效
申请号: | 200910072796.0 | 申请日: | 2009-09-07 |
公开(公告)号: | CN101639391A | 公开(公告)日: | 2010-02-03 |
发明(设计)人: | 刘晓为;王喜莲;揣荣岩;陆学斌;施长治 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | G01L1/18 | 分类号: | G01L1/18;G01L9/06;G01K7/16;B82B1/00;B82B3/00 |
代理公司: | 哈尔滨市哈科专利事务所有限责任公司 | 代理人: | 崔东辉 |
地址: | 150001黑龙江*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 本发明提供一种在保证高灵敏度的同时获得低温度系数、可同时实现压力和温度测量的带温度传感器的多晶硅纳米膜压力传感器及其制作方法。它是由单晶硅硅杯、绝缘层、多晶硅纳米膜压敏电阻和薄膜电阻组成的,单晶硅硅杯连接绝缘层,绝缘层连接多晶硅纳米膜压敏电阻和薄膜电阻。单晶硅硅杯包括感压膜和周边固支结构,感压膜位于单晶硅硅杯上部,周边固支结构位于单晶硅硅杯两边。由单晶硅通过腐蚀制作单晶硅硅杯,利用化学气象淀积法在单晶硅硅杯的上部淀积一层二氧化硅或氮化硅作为绝缘层,将压力测量单元和温度测量单元集成在一个芯片上,能够同时实现压力和温度的测量,减小芯片面积,降低成本。 | ||
搜索关键词: | 温度传感器 多晶 纳米 压力传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种带温度传感器的多晶硅纳米膜压力传感器,它是由单晶硅硅杯(1)、绝缘层(2)、多晶硅纳米膜压敏电阻(3)和薄膜电阻(4)组成的,其特征在于:单晶硅硅杯(1)连接绝缘层(2),绝缘层(2)连接多晶硅纳米膜压敏电阻(3)和薄膜电阻(4)。
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