[发明专利]太阳能级硅的提纯方法无效
| 申请号： | 200910076572.7 | 申请日： | 2009-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN101774584A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 常玉;陈红雨 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明 |
| 地址： | 510006广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施方式提供了一种太阳能级硅的提纯方法，该方法属于太阳能及化工领域，该方法包括：将小于或等于200目的硅用硫酸浸泡并搅拌1～3小时，滤去硫酸后，用水冲洗1小时以上后，加热烘干；将烘干后的硅在熔炼炉中通氧气熔炼至熔硅后，加入造渣剂，将所述熔硅进行定向凝固，得到高纯硅铸锭，除去所述高纯硅铸锭表层和上层杂质浓集部位，得到高纯度太阳能级硅。本发明具体实施方式提供的方法具有提纯度高，并能有效的去除杂质硼的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳 能级 提纯 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能级硅的提纯方法，其特征在于，所述方法包括：A、将小于或等于200目的硅用酸浸泡并搅拌1～3小时；所述酸为下述酸液中的一种或多种，百分比浓度5％～60％的硫酸；百分比浓度7％～40％的盐酸；百分比浓度0.5％～2％氢氟酸；B、滤去酸后，用水冲洗1小时以上后，加热烘干至恒重；C、将烘干后的硅在熔炼炉中通氧气熔炼至熔硅后，加入造渣剂；所述造渣剂与烘干后的硅的质量比为，0.05～0.20∶1；并在加入造渣剂的同时，向所述熔炼炉中通氩气和氧气的混合气体，所述混合气体的体积比例为，氩气∶氧气为0.01～0.001∶1；所述熔炼炉的温度为1400～1800℃，真空度小于等于0.01Mpa；所述造渣剂的成份和成份的质量百分比为：氧化硅SiO2 30～50％；碳酸钡BaCO3 5～20％；氢氧化钙Ca(OH)2 5～15％；萤石 5～15％；氯化钠NaCl 5～15％；碳酸钠Na2CO3 5～20％；D、将所述熔硅进行定向凝固，得到高纯硅铸锭，除去所述高纯硅铸锭表层和上层杂质浓集部位，得到高纯度太阳能级硅。
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