[发明专利]一种加热装置及应用该加热装置的等离子体处理设备无效
| 申请号： | 200910076888.6 | 申请日： | 2009-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN101800159A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 刘少锋 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张天舒;陈源 |
| 地址： | 100016 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种加热装置，包括托板和多个加热元件，其中，位于托板中心区域上方的加热元件的排列规则不同于位于托板边缘区域上方的加热元件，例如，多个加热元件可以按这样的规则排列：各个加热元件之间的水平距离相等，位于托板中心区域上方的加热元件到托板的垂直距离大于位于托板边缘区域上方的加热元件到托板的垂直距离；或者，各个加热元件到托板的垂直距离相等，位于托板中心区域上方的加热元件之间的水平距离大于位于托板边缘区域上方的加热元件之间的水平距离。此外，本发明还提供一种应用上述加热装置的等离子体处理设备。本发明提供的加热装置及等离子体处理设备能够使托板上的工件受热较为均匀，从而能够提高产品质量的均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 加热 装置 应用 等离子体 处理 设备 | ||
【主权项】：
一种加热装置，包括托板和设置于所述托板上方的多个加热元件，其特征在于，位于所述托板中心区域上方的加热元件的排列规则不同于位于所述托板边缘区域上方的加热元件，以使所述托板中心和边缘区域所获得的热辐射大致相等。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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