[发明专利]一种制备钨铜热沉和电子封装材料的工艺

摘要

为克服现有的钨铜热沉和封装材料的品质不够优良，制备成本高、生产效率低的问题，本发明提供一种新的制备钨铜热沉和电子封装材料的工艺，包括粉末准备，添加诱导剂及混料，模压自动成型和等静压覆压，预烧结，液铜浸渗工艺步骤，采用该工艺制备钨铜热沉和电子封装材料所用成本低、生产效率高并且制得的钨铜热沉和电子封装材料结构致密、在各个方面都表现出优越的性能。

主权项

1. 一种制备钨铜热沉和电子封装材料的工艺，其特征在于，所述工艺包括如下步骤：A、粉末准备取纯度≥99. 95％，平均费氏粒度为3～8微米的钨粉，取纯度≥99.95％，平均粒度为一300目的电解铜粉待用；B、添加诱导剂及混料将所述电解铜粉作为诱导剂与所述钨粉在粉末混料机中混合均匀；C、压制成型包括：将所述混合料按照预定形状模压自动成型，和对模压自动成型后的钨铜生坯进行等静压覆压处理；D、预烧结对步骤C压制成型后的钨铜生坯在钼丝炉中进行预烧结，得到钨铜合金坯体；E、液铜浸渗在渗铜炉中盛装纯度≥99.95％的液态电解铜，将预烧结得到的钨铜合金坯体浸入1200℃～1400℃的所述液态电解铜中进行液铜浸渗处理1～2.5个小时，该处理过程在还原性气体或还原性气体和惰性气体的混合气的保护下进行，而后将钨铜合金坯体从液态电解铜中提出，进行冷却，得到钨铜合金；步骤B中所述电解铜粉的加入量占所述钨铜合金总重量的0～6％，步骤B中所述电解铜粉的加入量与步骤E中所述液态电解铜的渗入量之和占钨铜合金总重量的15～25％。