[发明专利]太阳能电池及其制作方法无效
申请号: | 200910077175.1 | 申请日: | 2009-01-19 |
公开(公告)号: | CN101477994A | 公开(公告)日: | 2009-07-08 |
发明(设计)人: | 冯丽爽;于怀勇;洪灵菲;王潇;胡行;刘惠兰 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L21/98 |
代理公司: | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郑立明 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种太阳能电池及其制作方法。属于太阳能电池领域。该太阳能电池包括:硅基底和在硅基底上形成的多个太阳能电池核;所述多个太阳能电池核呈阵列式分布在硅基底上,各太阳能电池核并联后形成太阳能电池。这种结构的太阳能电池将传统的平面电池转化为同轴阵列结构,单个的太阳能电池核本身可以吸收太阳能,增加吸收效率,且太阳能电池核阵列之间具有天线效应,使入射的太阳光在阵列中经多次反射被充分的吸收,提高了电荷收集能力,并有效的提高了太阳能电池的转化效率;采用硅为主要材料,耐光照且不受蚀分解;制作成本低。该太阳能电池弥补了现在水电、火电由于燃料短缺、环境污染、原料运输费用上涨等问题,具有广泛的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1、一种太阳能电池,其特征在于,该太阳能电池包括:硅基底和在硅基底上形成的多个太阳能电池核;所述多个太阳能电池核呈阵列式分布在硅基底上,各太阳能电池核并联后形成太阳能电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的