[发明专利]用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件及其制作方法有效
| 申请号： | 200910077678.9 | 申请日： | 2009-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN101800242A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 龙世兵;刘明;李维龙;贾锐 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件及其制作方法。在衬底上制作一对纳米电极，在一对纳米电极之间生长纳米晶材料，纳米电极作为器件的源和漏，纳米晶作为库仑岛，库仑岛上生长的绝缘介质作为栅介质，绝缘介质上的电极作为栅电极。该纳米电子器件及其制作方法具有简单、稳定可靠、工艺步骤少、与传统CMOS工艺兼容的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 材料 作为 库仑 电子器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件，其特征在于，该纳米电子器件由源、漏、栅、库仑岛、栅介质构成，利用衬底上的一对纳米电极作为源和漏电极，利用纳米电极之间的纳米晶作为库仑岛，利用纳米电极上生长的绝缘介质作为栅介质，利用绝缘介质上生长的电极作为栅电极。
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