[发明专利]一种自对准的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法

摘要

本发明提供了一种自对准的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，先在玻璃衬底上依次形成金属源漏区、金属氧化物半导体沟道区和透明栅介质层后，在栅介质层上涂布正性光刻胶，前烘后从玻璃衬底的背面进行曝光，显影并坚膜，然后带胶生长一层导电薄膜，再剥离光刻胶和导电薄膜，光刻和刻蚀形成栅电极。该方法可保证器件的栅电极和源漏区之间形成自对准，即栅电极对称位于源漏之间正上方，而且其长度由源漏之间的距离而非掩膜版上的尺寸所决定，有效避免寄生效应的产生。

主权项

1. 一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，包括以下步骤：1)在玻璃衬底上生长一层金属薄膜，然后光刻和刻蚀形成金属源区和金属漏区；2)依次生长一层金属氧化物半导体层和一层保护介质层，然后光刻和刻蚀保护介质层和金属氧化物半导体层，形成器件的有源层及之上的有源保护层，其中有源层位于源区和漏区之间的玻璃衬底之上的中间部分为沟道区，有源层的两端部分叠于源区和漏区之上；3)生长一层绝缘介质层覆盖源、漏区和沟道区，该层与有源保护层一道形成器件的栅介质层；4)器件面涂布正性光刻胶，前烘后从玻璃衬底的背面进行曝光，然后显影并坚膜；5)器件面带胶生长一层导电薄膜；6)进行光刻胶和导电薄膜的剥离，光刻和刻蚀形成栅电极，栅电极自对准地位于源区和漏区之间正上方；7)进行晶体管制作的后道工序。