[发明专利]利用低压氧化法在铜表面制备超疏水薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种利用低压氧化法在铜表面制备超疏水薄膜的方法，可应用于需要防水附着的各种铜表面。属于材料的表面物理化学领域。现有技术主要是利用低表面能的有机化学试剂修饰，达到超疏水的目的。然而，这种用有机化学试剂进行表面处理的方法成本较高，工艺复杂，对环境也有影响。本发明提供了一种简单的低压氧化法，在铜表面生成具有双层微纳结构的氧化铜薄膜，从而达到超疏水状态。这就免去了低表面能有机化学试剂修饰的过程，节省了制作成本，简化了工艺，且减少了有机废物的排放。

主权项

1、利用低压氧化法在铜表面制备超疏水薄膜的方法，其特征在于包括以下步骤：(1)配制(1～3摩尔/升)KOH和(0.05～0.25摩尔/升)K₂S₂O₈的水溶液，将两种溶液按照化学反应方程式：的配比混合后，加热至60℃保温，将清洁的铜片放入配好的溶液中，使其表面反应生成氢氧化铜薄膜，反应10～30min后，拿出来冷却，然后用去粒子水冲洗干净，自然晾干；(2)再将步骤(1)处理后的铜片放入石英舟中，放入真空室，将真空室抽至0.5Pa～20Pa的低气压范围，将铜片加热到120℃，保温1.5h～5h，然后再冷却到室温；这个过程中，发生的化学反应式是：