[发明专利]等离子体设备腔室维护前预处理的方法有效
| 申请号： | 200910077872.7 | 申请日： | 2009-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN101476114A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 荣延栋 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/50;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 100016北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 等离子体设备腔室维护前预处理的方法，包括：对所述等离子体设备腔室内壁执行等离子体处理，以消耗吸附于腔室内壁的工艺气体，并将生成副产物气体排出腔室；用氮气或惰性气体对所述腔室执行充抽处理；其中，所述充抽处理在所述等离子体处理之前或之后执行。本发明的方法可减小等离子体设备腔室维护前预处理的时间。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 设备 维护 预处理 方法 | ||
【主权项】：
1、等离子体设备腔室维护前预处理的方法，其特征在于，包括：对所述等离子体设备腔室内壁执行等离子体处理，以消耗吸附于腔室内壁的工艺气体，并将生成副产物气体排出腔室；用氮气或惰性气体对所述腔室执行充抽处理；其中，所述充抽处理在所述等离子体处理之前或之后执行。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
