[发明专利]存储器及其制作方法

摘要

本发明涉及微电子技术领域，公开了一种冠状势垒复合隧穿层的俘获型浮栅非易失存储器，包括：硅衬底，在硅衬底上重掺杂的源导电区和漏导电区，在源、漏导电区之间的载流子沟道上覆盖的由高k材料介质/SiO₂材料介质/高k材料介质组成的复合隧穿层，在复合隧穿层上覆盖的俘获型浮栅层、在俘获型浮栅层上覆盖的高k材料或SiO₂材料控制栅介质层，和在控制栅介质层上覆盖的栅材料层。同时公开了一种冠状势垒复合隧穿层的俘获型浮栅非易失存储器的制作方法。利用本发明，综合改善了浮栅非易失存储器的存储性能，并且制作工艺简单，降低了制作成本。

主权项

1、一种冠状势垒复合隧穿层的俘获型浮栅非易失存储器，其特征在于，该存储器包括：硅衬底(1)；在所述硅衬底上重掺杂的源导电区(8)和漏导电区(9)；在所述源、漏导电区之间的载流子沟道上覆盖的复合隧穿层，其中，所述复合隧穿层包括：第一高介电常数材料介质层(2)，第二SiO2材料介质层(3)，和第三高介电常数材料介质层(4)；在所述复合隧穿层上覆盖的俘获型浮栅层(5)；在所述俘获型浮栅层上覆盖的控制栅介质层(6)；和在所述控制栅介质层上覆盖的栅材料层(7)。