[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200910078374.4 | 申请日： | 2009-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN101819361A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 刘翔 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 曲鹏 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。阵列基板包括形成在基板上的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，所述像素区域内还形成有与所述像素电极一起构成存储电容的透明材质的存储电极和使相邻像素区域内的存储电极相互连接的连接电极。本发明通过在像素区域内形成由透明导电薄膜构成的存储电极，因此可以根据实际需要通过改变存储电极的面积来设计合适的存储电容，这样就保证了充足的存储电容余量，可以有效地减少跳变电压ΔVp，提高显示质量。进一步地，本发明采用透明的存储电极还可以有效提高开口率和显示亮度，从整体上提高了显示质量。 | ||
| 搜索关键词： | tft lcd 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种TFT-LCD阵列基板，包括形成在基板上的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，所述像素区域内还形成有与所述像素电极一起构成存储电容的透明材质的存储电极。
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