[发明专利]一种在线检测硅纳米晶形态的方法有效
| 申请号： | 200910078556.1 | 申请日： | 2009-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN101813624A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 刘明;王永;王琴;杨潇楠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01N21/55 | 分类号： | G01N21/55 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在线检测硅纳米晶形态的方法，包括：准备若干片硅片作为衬底，在该各衬底表面分别生长一隧穿介质层；用稀释氢氟酸处理衬底表面，再在该各衬底表面分别生长一层硅纳米晶；利用波长为365nm的单色光作为入射光入射至各衬底表面，由于表面材料和形貌的不同，反射光强必然会发生变化，记录各种生长时间的纳米晶硅片的反射率，建立生长时间与反射率之间的关系式；将以上各种硅片用扫描电镜和透射电镜进行破片分析，确定不同生长时间纳米晶的形态，建立不同纳米晶形态与生长时间的关系式；将纳米晶不同形态与反射率对应起来，建立相应的关系式，从而根据反射率来确定生长的纳米晶形态。利用本发明，实现了对硅纳米晶形态的在线快速检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 在线 检测 纳米 晶形 方法 | ||
【主权项】：
一种在线检测硅纳米晶形态的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：准备若干片硅片作为衬底，在该各衬底表面分别生长一隧穿介质层；步骤2：用稀释氢氟酸处理衬底表面，再用LPCVD的方法在该各衬底表面分别生长一层硅纳米晶；步骤3：利用波长为365nm的单色光作为入射光入射至各衬底表面，由于表面材料和形貌的不同，反射光强必然会发生变化，记录各种生长时间的纳米晶硅片的反射率，建立生长时间与反射率之间的关系式；步骤4：将以上各种硅片用扫描电镜和透射电镜进行破片分析，确定不同生长时间纳米晶的形态，建立不同纳米晶形态与生长时间的关系式；步骤5：将纳米晶不同形态与反射率对应起来，建立相应的关系式，从而根据反射率来确定生长的纳米晶形态。
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