[发明专利]阵列基板及其制造方法和液晶面板无效

专利信息
申请号: 200910079952.6 申请日: 2009-03-13
公开(公告)号: CN101833204A 公开(公告)日: 2010-09-15
发明(设计)人: 谢振宇;林承武;陈旭;刘翔 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;H01L23/528;H01L21/768;H01L21/84
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 刘芳
地址: 100176 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种阵列基板及其制造方法和液晶面板。该阵列基板的钝化层上形成有沟槽,且沟槽对应形成在相邻的两像素电极之间;沟槽的深度小于钝化层的厚度。该方法包括:在衬底基板上形成多薄膜层的图案;在形成多薄膜层的衬底基板上形成钝化层;在钝化层上形成钝化层过孔和上述沟槽;在形成沟槽的钝化层上沉积透明导电膜层;采用构图工艺形成矩阵形式的多个像素电极。本发明的液晶面板包括本发明的阵列基板。本发明在像素电极区域之外的钝化层上形成沟槽,使得像素电极材料层可以在沟槽的边缘处形成断层,减少或避免相邻像素电极的连通短路,从而提高成品率。
搜索关键词: 阵列 及其 制造 方法 液晶面板
【主权项】:
一种阵列基板,包括衬底基板及其上的多薄膜层,所述多薄膜层包括栅极扫描线、数据扫描线和薄膜晶体管,在所述多薄膜层上覆盖有钝化层,所述钝化层上有矩阵形式的多个像素电极,其特征在于:所述钝化层上形成有沟槽,且所述沟槽对应形成在相邻的两个像素电极之间;所述沟槽的深度小于所述钝化层的厚度。
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