[发明专利]高致密单相TiB2陶瓷的快速制备方法有效
| 申请号： | 200910080721.7 | 申请日： | 2009-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN101508572A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 张久兴;周身林;张皓琨;刘丹敏;包黎红;马汝广 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;C04B35/622;C04B35/64 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 沈 波 |
| 地址： | 100124*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 高致密单相TiB2陶瓷的快速制备方法属于超硬耐磨陶瓷材料技术领域。TiB2陶瓷的传统制备方法存在烧结温度高、时间长、致密度不高及性能较差等问题。本发明将氢化钛(或钛)粉末与硼粉末按摩尔比2∶1研磨混匀后，装入石墨模具中加压压实，并放入SPS烧结炉中烧结，烧结工艺为：在轴向压力为30-60MPa，气氛为99.999％的高纯氩气或真空度高于5Pa的真空条件下，以90-180℃/min的升温速度升温至1350-1650℃，保温时间0-10min，而后随炉冷至室温，得到高纯致密TiB2陶瓷材料。本发明方法大幅降低了烧结温度、缩短了烧结时间，提高了TiB2的致密度和力学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 致密 单相 tib sub 陶瓷 快速 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高致密单相TiB2陶瓷材料的快速制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将氢化钛粉末或钛粉末中的一种与硼粉末按摩尔比1∶2研磨混匀后，装入石墨模具中加压压实；2)将装有粉末的石墨模具放入SPS烧结炉中进行反应烧结，烧结工艺为：在轴向压力为30-60MPa，气氛为99.999％的高纯氩气或真空度高于5Pa的真空条件下，以90-180℃/min的升温速度升温至1350-1650℃，保温时间0-10min，而后随炉冷至室温，得到高纯致密TiB2陶瓷材料。
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