[发明专利]一种具有单晶和多晶结构的金纳米线的制备方法无效
| 申请号： | 200910080813.5 | 申请日： | 2009-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101845646A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 周兆英;杨兴;张旻;钟强 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C25D5/00 | 分类号： | C25D5/00;C25D5/18;C25D7/12;C30B29/02;C30B29/62;C30B30/02 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 高存秀 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有单晶和多晶结构的金纳米线的制备方法，包括以下步骤：1)采用半导体工艺在硅片上形成的金或铂的金属电极对；2)将上述硅片放入电镀槽的电镀液中，并在金属电极对上通以交流电，进行金纳米线的电沉积；3)将硅片取出，清洗烘干，完成具有单晶和多晶结构的金纳米线的制备。本发明的方法无需模板、具有简单快速、经济地实现单晶和多晶结构的金纳米线的制备。所获得的单晶和多晶结构的金纳米线的直径在5～100nm，长径比大于200。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 多晶 结构 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有单晶和多晶结构的金纳米线的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)采用半导体镀膜工艺在硅片上，形成间距为2～100um的任意形状金属电极对；2)将步骤1)得到的有金属电极对的硅片放入电镀槽的电镀液中，在所述的金属电极对上通以交流电进行电镀，实现金纳米线的电沉积；其中，所施加的交流电的电压峰值为12～20V，频率为102～107Hz；通电时间5～10s；所述的电镀液为金浓度范围在2×10-8mol/l～2×10-3mol/l的镀金液；3)将步骤2)获得的金纳米线硅片取出，采用半导体清洗工艺清洗和烘干，完成具有单晶和多晶的金纳米线的制备。
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