[发明专利]在集成电路片内制作集成矩形波导谐振腔的方法有效
| 申请号： | 200910080918.0 | 申请日： | 2009-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN101847773A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 王显泰;金智;吴旦昱 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01P11/00 | 分类号： | H01P11/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在集成电路片内制作集成矩形波导谐振腔的方法，包括：选择衬底，在选择的衬底上旋涂光刻胶，并光刻显影，形成谐振腔底面的金属图形；淀积金属，剥离在底面金属图形之外淀积的金属，形成谐振腔的金属底面；旋涂光刻胶，并光刻显影曝光，形成谐振腔侧壁的金属图形；淀积并剥离金属，形成谐振腔的金属侧壁；淀积或旋涂一层介质材料，并加热固化形成介质层；对形成的介质层进行刻蚀或腐蚀，直至露出谐振腔侧壁金属的上边沿；旋涂光刻胶，并光刻显影，形成谐振腔顶面的金属图形；淀积金属，剥离在顶面金属图形之外淀积的金属，形成谐振腔的金属顶面。利用本发明所制作的谐振腔适用与毫米波及更高频率的高品质振荡器。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 制作 集成 矩形波导 谐振腔 方法 | ||
【主权项】：
一种在集成电路片内制作集成矩形波导谐振腔的方法，其特征在于，该方法包括：步骤101：选择衬底，在选择的衬底上旋涂光刻胶，并光刻显影，形成谐振腔底面的金属图形；步骤102：在形成底面金属图形的衬底上淀积金属，剥离在底面金属图形之外淀积的金属，形成谐振腔的金属底面；步骤103：在形成谐振腔金属底面的衬底上旋涂光刻胶，并光刻显影曝光，形成谐振腔侧壁的金属图形；步骤104：淀积并剥离金属，形成谐振腔的金属侧壁；步骤105：在形成谐振腔金属侧壁的衬底上淀积或旋涂一层介质材料，并加热固化形成介质层；步骤106：对形成的介质层进行刻蚀或腐蚀，直至露出谐振腔侧壁金属的上边沿；步骤107：重复执行步骤103至步骤106，形成足够高度的谐振腔的金属侧壁；步骤108：在形成金属侧壁的衬底上旋涂光刻胶，并光刻显影，形成谐振腔顶面的金属图形；步骤109：在形成顶面金属图形的衬底上淀积金属，剥离在顶面金属图形之外淀积的金属，形成谐振腔的金属顶面。
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