[发明专利]在SDRAM存储若干数据的方法有效

专利信息
申请号: 200910081105.3 申请日: 2009-04-02
公开(公告)号: CN101520750A 公开(公告)日: 2009-09-02
发明(设计)人: 李建军;付军 申请(专利权)人: 北京中星微电子有限公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02
代理公司: 上海和跃知识产权代理事务所 代理人: 李崧岩
地址: 100083北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种在SDRAM中存储若干数据的方法,其包括有以下步骤。将每份数据划分为若干大小相同的数据块,每个数据块的大小等于读取SDRAM内存储数据的BURST长度;将相邻的预定份数据的数据块依次交错存储于SDRAM的存储阵列的存储单元内。本发明通过对存储数据在SDRAM中的存储位置的排列,使得在各个MASTER对多块数据包以相似偏移量并发访问的概率比较大的SOC系统中,其可以被更有效率的访问,节省了读取时间,从而达到提高SDRAM的访问带宽,进而提高整个系统性能的目的。
搜索关键词: sdram 存储 若干 数据 方法
【主权项】:
1. 一种SDRAM的存储数据的方法,其中所述SDRAM包括有若干存储阵列,每个存储阵列中包括有若干存储单元,其特征在于,其包括有以下步骤:将每份数据划分为若干大小相同的数据块,每个数据块的大小等于读取所述SDRAM内存储数据的BURST长度;将相邻的预定份数据的数据块依次交错存储于所述SDRAM的存储阵列的存储单元内。
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