[发明专利]采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法无效
| 申请号： | 200910081224.9 | 申请日： | 2009-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101850944A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 李艳;杨富华;唐龙娟;朱银芳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B08B3/00;B08B3/12;H01L21/318;C23C16/34;C23C16/44;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法，该方法包括：步骤1：对样品进行清洗并预热；步骤2：在样品上淀积氮化硅薄膜；步骤3：对淀积有氮化硅薄膜的样品进行退火。本发明只使用一种功率源，方法简单快捷，普适性强，可淀积2微米以上的薄膜，薄膜应力小，抗腐蚀性能好。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 13.56 mhz 射频 功率 源淀积 氮化 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：对样品进行清洗并预热；步骤2：在样品上淀积氮化硅薄膜；步骤3：对淀积有氮化硅薄膜的样品进行退火。
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