[发明专利]一种纳米铁薄膜制备方法无效

专利信息
申请号: 200910081570.7 申请日: 2009-04-14
公开(公告)号: CN101550547A 公开(公告)日: 2009-10-07
发明(设计)人: 王连英;贾国梁;章定恒;何静 申请(专利权)人: 北京化工大学
主分类号: C23C20/04 分类号: C23C20/04
代理公司: 北京华谊知识产权代理有限公司 代理人: 刘月娥
地址: 100029北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种纳米铁薄膜制备方法,属于金属薄膜制备技术领域。以一种含有锌和铁元素的层状双羟基复合金属氧化物为前驱体,在单晶硅基片表面进行组装,经过氢气还原并选择性的蒸发掉其中的锌,从而得到单质铁薄膜。本发明的优点在于,不需要复杂的设备,操作简单,原料易得,成本低廉,对环境无污染,制得的薄膜由XRD数据可知构成薄膜的粒子尺寸在纳米级。
搜索关键词: 一种 纳米 薄膜 制备 方法
【主权项】:
1.一种纳米铁薄膜制备方法,其特征在于,制备步骤如下:A.将ZnCl2和FeCl2按照摩尔比1~4∶1配制成0.6~1.2mol/L的混合盐溶液;另配制1~1.4mol/L的氢氧化钠溶液;B.将步骤A配制所得混合盐溶液与氢氧化钠溶液采用双滴法发生共沉淀,并保持体系pH为7~8;C.将步骤B所得共沉淀产物在40~60℃下水浴晶化2~24h;D.将步骤C所得晶化产物用除去CO2的去离子水离心洗涤2~4次;E.将步骤D离心洗涤所得浆液超声分散于除去CO2的去离子水中,并将单晶硅片置于其中,蒸发溶剂,得到层状双羟基复合金属氧化物薄膜;F.将步骤E制备得到的薄膜于还原性气氛中以2~10℃/min的速率从室温升至900~1000℃之后,恒温1~4h进行焙烧还原,之后以0.5~1.5℃/min的速率降温至室温,得到连续的纳米铁薄膜。
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