[发明专利]一种非挥发性存储器以及其制造、编程和读取方法有效
| 申请号： | 200910081615.0 | 申请日： | 2009-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN101859775A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 苏如伟 | 申请（专利权）人： | 北京芯技佳易微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/788;H01L29/06;H01L21/82;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 苏培华 |
| 地址： | 100084 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种浮栅结构的非挥发性存储器，其中的存储单元包括：源极、漏极和浮栅；所述浮栅和漏极之间的耦合电容大于所述浮栅和源极之间的耦合电容；所述源极与位线相连，所述漏极与字线相连。本发明还提供了一种浮栅结构的非挥发性存储器的制造方法，包括：形成基材，所述基材包括衬底；在所述衬底的上部形成离子注入区；形成源漏对称管；所述源漏对称管的漏极位于所述离子注入区内，所述离子注入区的一部分位于所述源漏对称管的浮栅的下方，与浮栅部分重叠。本发明既不需要额外形成控制栅，也不需要形成选通管，即实际上本发明的存储单元只包含一个管子，其面积较小，符合现代半导体器件的发展需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 挥发性 存储器 及其 制造 编程 读取 方法 | ||
【主权项】：
一种浮栅结构的非挥发性存储器，其特征在于，其中的存储单元包括：源极、漏极和浮栅；所述浮栅和漏极之间的耦合电容大于所述浮栅和源极之间的耦合电容；所述源极与位线相连，所述漏极与字线相连。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京芯技佳易微电子科技有限公司，未经北京芯技佳易微电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910081615.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
