[发明专利]两端结构中长波同时响应量子阱红外探测器及其制作方法

摘要

一种两端结构中长波同时响应量子阱红外探测器，包括：一半绝缘半导体GaAs衬底；一第一半导体GaAs接触层，制作在半绝缘半导体GaAs衬底上；一第一多量子阱红外探测器，制作在第一半导体GaAs接触层上，该第一半导体GaAs接触层的一侧形成一台面；一第二半导体GaAs接触层，制作在第一多量子阱红外探测器上；一第二多量子阱红外探测器，制作在第二半导体GaAs接触层上；一第三半导体GaAs接触层，制作在第二多量子阱红外探测器上；一上接触电极和一下接触电极分别制作在第三半导体GaAs接触层上面和第一半导体GaAs接触层形成的台面上。

主权项

一种两端结构中长波同时响应量子阱红外探测器，包括：一半绝缘半导体GaAs衬底，作为整个器件的承载体；一第一半导体GaAs接触层，制作在半绝缘半导体GaAs衬底上，在第一半导体GaAs接触层中掺杂n型杂质，起到缓冲衬底和其它层之间应力的作用，又充当了器件的下接触层，用来连接外部偏置电压，传导电流；一第一多量子阱红外探测器，制作在第一半导体GaAs接触层上，其量子阱内掺杂n型杂质，用于探测位于中波大气窗口的红外辐射，该第一多量子阱红外探测器的面积小于第一半导体GaAs接触层的面积，而位于第一半导体GaAs接触层的一侧，在第一半导体GaAs接触层的另一侧形成一台面；一第二半导体GaAs接触层，制作在第一多量子阱红外探测器上，其中掺杂n型杂质，起到将上下两个探测器在电学上串联起来的作用；一第二多量子阱红外探测器，制作在第二半导体GaAs接触层上，其量子阱内掺杂n型杂质，用于探测位于长波大气窗口的红外辐射；一第三半导体GaAs接触层，制作在第二多量子阱红外探测器上，其中掺杂n型杂质，起到保护整个器件的作用，并作为上接触层，用来连接外部偏置电压，传导电流；一上接触电极和一下接触电极分别制作在第三半导体GaAs接触层上面和第一半导体GaAs接触层形成的台面上。