[发明专利]一种测量光子晶体孔洞侧壁垂直度的方法无效
| 申请号： | 200910081986.9 | 申请日： | 2009-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN101865676A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 彭银生;徐波;叶小玲;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G01B11/26 | 分类号： | G01B11/26;G02F1/355 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种测量光子晶体孔洞侧壁垂直度的方法，包括：在半绝缘砷化镓衬底上，外延生长一定厚度的AlGaAs牺牲层；在AlGaAs牺牲层上外延生长一定厚度的砷化镓；在砷化镓层上外延生长一定密度InAs量子点；外延生长一定厚度的砷化镓，将InAs量子点埋住；在砷化镓上采用等离子体化学气相淀积法(PECVD)镀上一层SiO2薄膜；在SiO2薄膜上悬涂一层电子束胶；采用电子束曝光法在电子束胶上制作光子晶体图形；采用反应离子刻蚀方法将电子束胶上的光子晶体图形转移至SiO2上，并去胶；采用扫描电镜(SEM)对样品进行测试，观测并计算光子晶体孔洞的垂直度。利用本发明，不用观察光子晶体孔洞截面，只测试光子晶体表面，便可测试出光子晶体孔洞侧壁垂直度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测量 光子 晶体 孔洞 侧壁 垂直 方法 | ||
【主权项】：
一种测量光子晶体孔洞侧壁垂直度的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：在半绝缘砷化镓衬底上，外延生长一定厚度的AlGaAs牺牲层；步骤2：在AlGaAs牺牲层上外延生长一定厚度的砷化镓；步骤3：在砷化镓层上外延生长一定密度InAs量子点；步骤4：外延生长一定厚度的砷化镓，将InAs量子点埋住；步骤5：在砷化镓上采用PECVD镀上一层SiO2薄膜；步骤6：在SiO2薄膜上悬涂一层电子束胶；步骤7：采用电子束曝光法在电子束胶上制作光子晶体图形；步骤8：采用反应离子刻蚀方法将电子束胶上的光子晶体图形转移至SiO2上，并去胶；步骤9：采用SEM对样品进行测试，观测并计算光子晶体孔洞的垂直度。
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