[发明专利]采用烧结助剂制备钡钴铁铌氧化物致密陶瓷膜片的方法无效

专利信息
申请号: 200910082126.7 申请日: 2009-04-14
公开(公告)号: CN101531525A 公开(公告)日: 2009-09-16
发明(设计)人: 仇卫华;李敬;李福燊;丁伟中 申请(专利权)人: 北京科技大学
主分类号: C04B35/622 分类号: C04B35/622;C04B35/63;C04B35/64;C04B35/01;C04B35/32;C04B35/495
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地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 采用烧结助剂制备钡钴铁铌氧化物致密陶瓷膜片的方法,属于陶瓷透氧膜功能材料领域。本方法是将固相法制备的钡钴铁铌粉体与助烧剂球磨混合均匀,经过干燥、造粒、压片等工序在高温炉中烧结而成。添加的烧结助剂在膜片的烧结过程中产生液相,产生的液相润湿固体颗粒,使颗粒间的间隙形成毛细管,在毛细管压力作用下,颗粒发生重排,填实并排除部分气孔,促进了透氧膜陶瓷膜片的致密化。本方法增大了合成致密钡钴铁铌膜片与材料融化温度的间隔,有利于管式透氧器件的烧成,有效解决了制备钡钴铁铌膜片在较低温度下不致密或高温下易熔化的问题,工艺过程简便,所需设备简单,助烧剂种类常见。
搜索关键词: 采用 烧结 助剂 制备 钡钴铁铌 氧化物 致密 陶瓷 膜片 方法
【主权项】:
1. 一种采用烧结助剂制备钡钴铁铌氧化物致密陶瓷膜片的方法,其特征在于,具体步骤为:a. 初次粉体的制备将分析纯Ba(OH)2·8H2O、Co(NO3)2·6H2O、Fe(NO3)3·6H2O和Nb2O5称量后进行机械研磨,所得产物经干燥后得到前驱体粉体,再经焙烧得到含有立方钙钛矿相籽晶的初次粉体;b. 含有烧结助剂的生胚的制备将a步骤得到的初次粉体与烧结助剂在球磨条件下混合均匀,干燥后加入PVA造粒,压制成型得到膜片生胚,其中,当烧结助剂选择KOH时,KOH为初次粉体质量的0.5%~5%;当烧结助剂选择LiOH时,LiOH为初次粉体质量的0.5~2.5%;当烧结助剂选择BN时,BN为初次粉体质量的0.5~5%;c. 致密膜片的制备将添加烧结助剂后得到的膜片生胚进行焙烧,得到完全立方钙钛矿相的钡钴铁铌氧化物致密膜片。
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