[发明专利]一种TSV通孔的绝缘层的制备方法有效
| 申请号： | 200910082236.3 | 申请日： | 2009-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN101540295A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 纪明;朱韫晖;马盛林;缪旻;金玉丰;王玮 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/312;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙） | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TSV通孔的侧壁绝缘层的制备方法。属于微电子封装技术。该方法包括：在普通硅片、SOI片或表面加工有集成电路的标准硅片上刻蚀的TSV通孔内淀积一绝缘层；在绝缘层上淀积一有机薄膜；利用各向异性刻蚀，去除TSV通孔底部的有机薄膜；然后刻蚀掉TSV通孔底部的绝缘层；再次利用各向异性刻蚀，将剩余的有机薄膜全部去除，从而获得完整的TSV通孔的侧壁绝缘层。本发明利用了有机薄膜作为刻蚀保护层，极大的提高了TSV通孔侧壁绝缘层的质量和性能，很好的保证了通孔内金属与硅片之间的绝缘性能，从而提高了TSV互连的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tsv 绝缘 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种TSV通孔的侧壁绝缘层的制备方法，其步骤包括：1)在普通硅片、SOI片或表面加工有集成电路的标准硅片上刻蚀的TSV通孔内淀积一绝缘层；2)在上述绝缘层上淀积一有机薄膜；3)利用各向异性刻蚀，去除TSV通孔底部的有机薄膜；4)刻蚀掉TSV通孔底部的绝缘层；5)再次利用各向异性刻蚀，将剩余的有机薄膜全部去除，从而获得完整的TSV通孔的侧壁绝缘层。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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