[发明专利]对玻璃微流控芯片刻蚀时起保护作用的保护膜的制备方法无效
申请号: | 200910082368.6 | 申请日: | 2009-04-15 |
公开(公告)号: | CN101544349A | 公开(公告)日: | 2009-09-30 |
发明(设计)人: | 陈义;王海 | 申请(专利权)人: | 中国科学院化学研究所 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 李 柏 |
地址: | 100190北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及对玻璃微流控芯片刻蚀时起保护作用的保护膜的制备方法,该方法包括用常规制作玻璃微流控芯片时的在玻璃基片上镀铬牺牲层、涂胶、烘胶、紫外曝光、显影、去铬牺牲层、湿法刻蚀、去胶、去铬牺牲层、高温封合步骤,特征在于以含有线性酚醛树脂的正性光刻胶为基础,在显影步骤后及在接着进行的去铬牺牲层步骤之前,以一定浓度和pH值的甲醛单体水溶液或戊二醛水溶液作为交联剂,使甲醛或戊二醛与含有线性酚醛树脂的正性光刻胶中的线性酚醛树脂成分发生交联反应,使光刻胶交联成具有体型网状结构的保护膜,从而使光刻胶保护膜延长耐受氢氟酸玻璃刻蚀液腐蚀的时间,增加微流控通道的刻蚀深度。本发明也适用于镀有其它金属牺牲层的玻璃基片。 | ||
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【主权项】:
1. 一种对玻璃微流控芯片刻蚀时起保护作用的保护膜的制备方法,该方法包括制作玻璃微流控芯片时的在玻璃基片上镀铬牺牲层、涂胶、烘胶、紫外曝光、显影、去铬牺牲层、湿法刻蚀、去胶、去铬牺牲层、高温封合步骤;其特征在于:在显影步骤后及在接着进行的去铬牺牲层步骤之前,用草酸、马来酸及其酐、乙酸、三氯乙酸、苯磺酸、酒石酸、柠檬酸、消旋苹果酸所组成的组中的至少一种调节质量浓度为15~37%的甲醛水溶液或质量浓度为2~25%的戊二醛水溶液的pH为2~5.5,然后在室温下将烘干的在含有线性酚醛树脂的正性光刻胶表面带有掩膜图形的玻璃基片浸泡在上述pH为2~5.5的甲醛水溶液或戊二醛水溶液中10~40分钟,使甲醛分子或戊二醛分子浸润到含有线性酚醛树脂的正性光刻胶基质当中;把浸泡好的玻璃基片用蒸馏水冲洗干净,然后在100~155℃下使甲醛或戊二醛与含有线性酚醛树脂的正性光刻胶中的线性酚醛树脂成份发生交联反应,使含有线性酚醛树脂的正性光刻胶交联成具有体型成网状结构的保护膜。
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