[发明专利]一种用碳纳米管实现上下两层导电材料垂直互连的方法

摘要

本发明公开了一种用碳纳米管实现上下两层导电材料垂直互连的方法，属于集成电路中的互连技术。该方法包括在基底上制备一包括上、下两水平面的垂直结构；在上述垂直结构上淀积导电材料，形成上、下两个导电层；制备碳纳米管溶液，将该碳纳米管溶液滴至上述垂直结构上，并在上、下导电层之间施加直流电或交流电，碳纳米管的两端分别搭接在两层导电材料上；淀积绝缘介质材料，形成碳纳米管通孔结构，从而实现上、下两层导电材料之间的垂直互连。本发明中碳纳米管制备与组装过程分别单独进行，且后者在室温下进行，因此该互连技术可避免碳纳米管制备过程对电路芯片所致的污染，可与现有的CMOS工艺兼容。

主权项

1、一种上、下两层导电材料之间的垂直互连方法，其步骤包括：1)在基底上制备一包括上、下两水平面的垂直结构；2)在上述垂直结构上淀积导电材料，形成上、下两个导电层；3)制备碳纳米管溶液，将该碳纳米管溶液滴到上述垂直结构上，并在上、下导电层之间施加直流电或交流电，碳纳米管的两端分别紧密到搭接在两层导电材料上；4)淀积绝缘介质材料，形成碳纳米管通孔结构，从而实现上、下两层导电材料之间的垂直互连。