[发明专利]一种掩蔽微结构的制备方法无效
| 申请号： | 200910082984.1 | 申请日： | 2009-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN101559916A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 张大成;李婷;刘鹏;王玮;罗葵;田大宇;李静;王颖 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙） | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种掩蔽微结构的制备方法，属于微电子机械系统技术领域。该方法包括：在硅基片表面制成厚度为1～2μm的二氧化硅掩膜，并图形化，对硅进行深刻蚀，形成微槽或微开口结构；对微槽或微开口结构进行表面钝化；刻蚀去掉微槽或微开口结构的底部钝化层，对微槽或微开口结构的底部进行预刻蚀；接着继续各向同性刻蚀，形成微结构；然后，去掉硅片表面的掩膜和微槽或微开口结构侧壁的钝化层；回填形成掩蔽微结构。本发明利用厚掩膜很好的保护了硅片表面，不会出现针孔和钻蚀的现象。且掩蔽微结构的各向同性刻蚀在预刻蚀之后进行，可控制掩蔽微结构的截面形状，免去了复杂的工艺参数调整，也可避免对精密刻蚀设备的依赖。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掩蔽 微结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种掩蔽微结构的制备方法，其步骤包括：1)在硅基片表面制成厚度为1～2μm的二氧化硅掩膜，并图形化，对硅进行深刻蚀，形成微槽或微开口结构；2)对上述微槽或微开口结构进行表面钝化；3)刻蚀去掉上述微槽或微开口结构的底部钝化层；4)对上述微槽或微开口结构的底部进行一定深度的预刻蚀，接着再各向同性刻蚀，形成微流道或微腔室；5)去掉硅片表面的掩膜，以及微槽或微开口结构侧壁的钝化层；6)回填上述微槽或微开口结构，在硅片内部形成掩蔽的微流道或微腔室结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910082984.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
